casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / LLSD103B-13
Número de pieza del fabricante | LLSD103B-13 |
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Número de parte futuro | FT-LLSD103B-13 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
LLSD103B-13 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 30V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 350mA (DC) |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 600mV @ 200mA |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 10ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 20V |
Capacitancia a Vr, F | 50pF @ 0V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-213AA |
Paquete del dispositivo del proveedor | Mini MELF |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 125°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LLSD103B-13 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | LLSD103B-13-FT |
DSR8U600
Diodes Incorporated
MBR745 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR745HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
DSR15U600
Diodes Incorporated
DSR15V600
Diodes Incorporated
DSR8F600
Diodes Incorporated
FR801
Diodes Incorporated
FR802
Diodes Incorporated
FR803
Diodes Incorporated
FR804
Diodes Incorporated
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel