casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / LL4448-GS18
Número de pieza del fabricante | LL4448-GS18 |
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Número de parte futuro | FT-LL4448-GS18 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
LL4448-GS18 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 75V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 300mA |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1V @ 50mA |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 8ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 25nA @ 20V |
Capacitancia a Vr, F | 4pF @ 0V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOD-80 MiniMELF |
Temperatura de funcionamiento - Unión | 175°C (Max) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LL4448-GS18 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | LL4448-GS18-FT |
BAQ135-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS281-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS282-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS282-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS283-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS283-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS285-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS285-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS286-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS286-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
A1020B-2VQ80C
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6N
Intel
EP4SGX290KF40I4N
Intel
XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3SG
Intel
10AX115H3F34I2LG
Intel
EP3CLS200F780C8
Intel