casa / productos / Inductores, bobinas, bobinas / Inductores fijos / LK21251R8M-T
Número de pieza del fabricante | LK21251R8M-T |
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Número de parte futuro | FT-LK21251R8M-T |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | LK |
LK21251R8M-T Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Multilayer |
Material - Núcleo | - |
Inductancia | 1.8µH |
Tolerancia | ±20% |
Valoración actual | 80mA |
Corriente - Saturación | - |
Blindaje | Unshielded |
Resistencia DC (DCR) | 450 mOhm Max |
Q @ Freq | 45 @ 10MHz |
Frecuencia - Auto-resonante | 55MHz |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 10MHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 0805 (2012 Metric) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 0805 (2012 Metric) |
Tamaño / Dimensión | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.041" (1.05mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LK21251R8M-T Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | LK21251R8M-T-FT |
HK160818NJ-T
Taiyo Yuden
HK160856NJ-T
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LCMXO1200C-4T100I
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M1A3P600-FG256I
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A42MX16-2VQG100I
Microsemi Corporation
XC4020XL-1HT176I
Xilinx Inc.
EP2AGX45DF25C4N
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XC7S50-2CSGA324I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FGG144M
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780I3N
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