casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / LE25S81FDTWG
Número de pieza del fabricante | LE25S81FDTWG |
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Número de parte futuro | FT-LE25S81FDTWG |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
LE25S81FDTWG Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH |
Tamaño de la memoria | 8Mb (1M x 8) |
Frecuencia de reloj | 40MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 500µs |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | SPI |
Suministro de voltaje | 1.65V ~ 1.95V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 90°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-VSOIC |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LE25S81FDTWG Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | LE25S81FDTWG-FT |
CAT25128HU4I-GT3
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CAT25512HU5I-GT3
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XC3S50A-4VQ100C
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XC6SLX150T-2FG484I
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FGG484
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A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
5AGZME5K3F40I4N
Intel
10CX150YF672E5G
Intel
AX500-FGG676M
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG144I
Microsemi Corporation
A54SX32A-2FGG144
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-9400C-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation