casa / productos / Aisladores / Optoaisladores - Transistor, Salida Fotovoltaica / LDA110
Número de pieza del fabricante | LDA110 |
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Número de parte futuro | FT-LDA110 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
LDA110 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
número de canales | 1 |
Tensión - Aislamiento | 3750Vrms |
Relación de transferencia de corriente (min) | 300% @ 1mA |
Relación de transferencia de corriente (Máx.) | 30000% @ 1mA |
Tiempo de encendido / apagado (tipo) | 8µs, 345µs |
Tiempo de subida / caída (tipo) | - |
Tipo de entrada | AC, DC |
Tipo de salida | Darlington with Base |
Voltaje - Salida (Máx.) | 30V |
Corriente - Salida / Canal | - |
Voltaje - Adelante (Vf) (Tipo) | 1.2V |
Corriente - DC Forward (If) (Max) | 100mA |
Saturación Vce (Max) | 1V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 6-DIP (0.300", 7.62mm) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 6-DIP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LDA110 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | LDA110-FT |
H11AA2S1(TB)
Everlight Electronics Co Ltd
H11AA2S1(TB)-V
Everlight Electronics Co Ltd
H11AA3S(TA)
Everlight Electronics Co Ltd
H11AA3S(TA)-V
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H11AA3S(TB)
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H11AA3S(TB)-V
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H11AA3S1(TA)
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H11AA3S1(TA)-V
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H11AA3S1(TB)
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H11AA3S1(TB)-V
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XC2S50E-6FTG256C
Xilinx Inc.
A3P600-1FGG256I
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A3P250-1PQG208I
Microsemi Corporation
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EP4SE530H40I3N
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5SGXMA3K3F35C2N
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EP4SE360F35I3
Intel
M1A3P600L-FGG144I
Microsemi Corporation
10AX057K2F35E1SG
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EPF10K30RI240-4N
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