casa / productos / Inductores, bobinas, bobinas / Inductores fijos / LBR2012T2R2M
Número de pieza del fabricante | LBR2012T2R2M |
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Número de parte futuro | FT-LBR2012T2R2M |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | LB, R Type |
LBR2012T2R2M Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | - |
Inductancia | 2.2µH |
Tolerancia | ±20% |
Valoración actual | 260mA |
Corriente - Saturación | - |
Blindaje | Unshielded |
Resistencia DC (DCR) | 130 mOhm |
Q @ Freq | - |
Frecuencia - Auto-resonante | 80MHz |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 105°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 7.96MHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 0805 (2012 Metric) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 0805 (2012 Metric) |
Tamaño / Dimensión | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.057" (1.45mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LBR2012T2R2M Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | LBR2012T2R2M-FT |
LB2016T470KV
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LB2016T470M
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EP1C6T144C7N
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XA6SLX75-3FGG484Q
Xilinx Inc.
XC6SLX75-2FGG484I
Xilinx Inc.
M1AGLE3000V2-FG484
Microsemi Corporation
A54SX32A-PQ208M
Microsemi Corporation
5SGXMA7K2F40C1
Intel
XC7K160T-2FF676C
Xilinx Inc.
10AX115N2F45E1SG
Intel
EP2AGX125EF35C6
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EP2AGZ350FF35I3N
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