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Número de pieza del fabricante | LB2518T3R3M |
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Número de parte futuro | FT-LB2518T3R3M |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | LB |
LB2518T3R3M Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | - |
Inductancia | 3.3µH |
Tolerancia | ±20% |
Valoración actual | 280mA |
Corriente - Saturación | - |
Blindaje | Unshielded |
Resistencia DC (DCR) | 110 mOhm |
Q @ Freq | - |
Frecuencia - Auto-resonante | 54MHz |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -25°C ~ 105°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 7.96MHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 1007 (2518 Metric) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 1007 (2518 Metric) |
Tamaño / Dimensión | 0.098" L x 0.071" W (2.50mm x 1.80mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.079" (2.00mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LB2518T3R3M Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | LB2518T3R3M-FT |
CB2518T150K
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XC6SLX150-3FGG900I
Xilinx Inc.
XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
M2GL025T-1FCSG325
Microsemi Corporation
EP3C16F484C7
Intel
5SGSMD4K2F40I3L
Intel
EP1M350F780I6N
Intel
LCMXO3LF-9400E-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S90F780C4N
Intel
EPF6016QC240-3N
Intel
5SGSMD3H1F35C1N
Intel