casa / productos / Inductores, bobinas, bobinas / Inductores fijos / LAV35VB102J
Número de pieza del fabricante | LAV35VB102J |
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Número de parte futuro | FT-LAV35VB102J |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | LA, V Type |
LAV35VB102J Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo | - |
Material - Núcleo | - |
Inductancia | 1mH |
Tolerancia | ±5% |
Valoración actual | 55mA |
Corriente - Saturación | - |
Blindaje | Unshielded |
Resistencia DC (DCR) | 28 Ohm Max |
Q @ Freq | 50 @ 796kHz |
Frecuencia - Auto-resonante | 2MHz |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -25°C ~ 105°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 796kHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | Radial |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
Tamaño / Dimensión | 0.236" Dia (6.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.315" (8.00mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LAV35VB102J Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | LAV35VB102J-FT |
LAN02TA391J
Taiyo Yuden
LAN02TA3R3J
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LAN02TA3R9J
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LCMXO2-4000HE-5TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K40LV-3BQC
Microchip Technology
XCVU080-H1FFVD1517E
Xilinx Inc.
XC3S1600E-4FG484I
Xilinx Inc.
A3PE600-FG484I
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M1A3P600-2PQ208I
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MPF300T-FCG484I
Microsemi Corporation
AGLN250V5-VQG100
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LFE2M50E-6FN672I
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EP20K100EQC208-2XN
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