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Número de pieza del fabricante | LAL04TB1R5M |
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Número de parte futuro | FT-LAL04TB1R5M |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | LA, L Type |
LAL04TB1R5M Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo | - |
Material - Núcleo | - |
Inductancia | 1.5µH |
Tolerancia | ±20% |
Valoración actual | 830mA |
Corriente - Saturación | - |
Blindaje | Unshielded |
Resistencia DC (DCR) | 230 mOhm Max |
Q @ Freq | 50 @ 7.96MHz |
Frecuencia - Auto-resonante | 131MHz |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -25°C ~ 105°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 7.96MHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | Axial |
Tamaño / Dimensión | 0.157" Dia x 0.386" L (4.00mm x 9.80mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LAL04TB1R5M Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | LAL04TB1R5M-FT |
LAL04NA150K
Taiyo Yuden
LAL04NA151K
Taiyo Yuden
LAL04NA180K
Taiyo Yuden
LAL04NA181K
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LAL04NA220K
Taiyo Yuden
LAL04NA221K
Taiyo Yuden
XC3S500E-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2TQG176I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484
Microsemi Corporation
10AX032E3F29I2SG
Intel
EP4CGX22BF14C8N
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
A40MX02-1PQ100M
Microsemi Corporation
LFEC10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C4NES
Intel