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Número de pieza del fabricante | LAL03TB1R2M |
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Número de parte futuro | FT-LAL03TB1R2M |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | LA, L Type |
LAL03TB1R2M Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo | - |
Material - Núcleo | - |
Inductancia | 1.2µH |
Tolerancia | ±20% |
Valoración actual | 260mA |
Corriente - Saturación | - |
Blindaje | Unshielded |
Resistencia DC (DCR) | 900 mOhm Max |
Q @ Freq | 50 @ 7.96MHz |
Frecuencia - Auto-resonante | 144MHz |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -25°C ~ 105°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 7.96MHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | Axial |
Tamaño / Dimensión | 0.102" Dia x 0.276" L (2.60mm x 7.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LAL03TB1R2M Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | LAL03TB1R2M-FT |
LAL03NA151K
Taiyo Yuden
LAL03NA180K
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XA3S200A-4FTG256Q
Xilinx Inc.
XC3S400-4FGG456C
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG484
Microsemi Corporation
M2GL010T-FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-BG456M
Microsemi Corporation
A3PE3000-2PQG208I
Microsemi Corporation
10M08DCF256C7G
Intel
5SGXEABK2H40C2LN
Intel
XCV100-4BG256C
Xilinx Inc.
AGL1000V5-FGG144
Microsemi Corporation