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Número de pieza del fabricante | LAL03NA2R2M |
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Número de parte futuro | FT-LAL03NA2R2M |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | LA, L Type |
LAL03NA2R2M Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo | - |
Material - Núcleo | - |
Inductancia | 2.2µH |
Tolerancia | ±20% |
Valoración actual | 230mA |
Corriente - Saturación | - |
Blindaje | Unshielded |
Resistencia DC (DCR) | 1.2 Ohm Max |
Q @ Freq | 50 @ 7.96MHz |
Frecuencia - Auto-resonante | 110MHz |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -25°C ~ 105°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 7.96MHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | Axial |
Tamaño / Dimensión | 0.102" Dia x 0.276" L (2.60mm x 7.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LAL03NA2R2M Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | LAL03NA2R2M-FT |
LAL02VD100K
Taiyo Yuden
LAL02VD101K
Taiyo Yuden
LAL02VD120K
Taiyo Yuden
LAL02VD121K
Taiyo Yuden
LAL02VD150K
Taiyo Yuden
LAL02VD151K
Taiyo Yuden
LAL02VD180K
Taiyo Yuden
LAL02VD181K
Taiyo Yuden
LAL02VD1R0K
Taiyo Yuden
LAL02VD1R2K
Taiyo Yuden
ICE40HX640-VQ100
Lattice Semiconductor Corporation
XCS10XL-4VQ100C
Xilinx Inc.
AGLN060V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP1M350F780C5
Intel
5SGXMA5N1F45C1N
Intel
EP4SE820H40C4N
Intel
AX1000-FG676
Microsemi Corporation
EP2AGX190EF29C5N
Intel
EPF10K50VBC356-4
Intel
EP3C40F324C8N
Intel