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Número de pieza del fabricante | LAL02TB1R0K |
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Número de parte futuro | FT-LAL02TB1R0K |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | LA, L Type |
LAL02TB1R0K Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo | - |
Material - Núcleo | - |
Inductancia | 1µH |
Tolerancia | ±10% |
Valoración actual | 270mA |
Corriente - Saturación | - |
Blindaje | Unshielded |
Resistencia DC (DCR) | 800 mOhm Max |
Q @ Freq | 35 @ 25.2MHz |
Frecuencia - Auto-resonante | 150MHz |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -25°C ~ 105°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 25.2MHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | Axial |
Tamaño / Dimensión | 0.091" Dia x 0.134" L (2.30mm x 3.40mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LAL02TB1R0K Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | LAL02TB1R0K-FT |
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XC2S15-6TQ144C
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XC6SLX150-2CSG484I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FG256M
Microsemi Corporation
5SGXMA7N2F40C2
Intel
5SGSMD4E1H29C2LN
Intel
5SGSED6N3F45C2L
Intel
A1020B-PL44I
Microsemi Corporation
XC5VLX85-3FFG676C
Xilinx Inc.
XC7A100T-1CSG324I
Xilinx Inc.
LFE3-35EA-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation