casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solo / KSD2012GTU
Número de pieza del fabricante | KSD2012GTU |
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Número de parte futuro | FT-KSD2012GTU |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
KSD2012GTU Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | NPN |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 3A |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 60V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 200mA, 2A |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 100µA (ICBO) |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 150 @ 500mA, 5V |
Potencia - max | 25W |
Frecuencia - Transición | 3MHz |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | TO-220-3 Full Pack |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220F |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
KSD2012GTU Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | KSD2012GTU-FT |
BCP 68-25 E6327
Infineon Technologies
BCP 68-25 H6327
Infineon Technologies
BCP 69-16 E6327
Infineon Technologies
BCP49E6327HTSA1
Infineon Technologies
BCP49H6327XTSA1
Infineon Technologies
BCP49H6359XTMA1
Infineon Technologies
BCP49H6419XTMA1
Infineon Technologies
BCP5116E6327HTSA1
Infineon Technologies
BCP5116E6433HTMA1
Infineon Technologies
BCP5116H6327XTSA1
Infineon Technologies
XC6SLX100-3FG484I
Xilinx Inc.
A3P1000-2PQG208
Microsemi Corporation
5SGXEA5N2F45C2LN
Intel
5SGXMABK3H40C2LN
Intel
EP1AGX60EF1152I6N
Intel
EP3SL200F1152I4N
Intel
XC7K325T-2FFG900I
Xilinx Inc.
LFE3-70EA-7LFN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057H2F34E1SG
Intel
EP4SGX180FF35C2X
Intel