casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solo / KSB811GBU
Número de pieza del fabricante | KSB811GBU |
---|---|
Número de parte futuro | FT-KSB811GBU |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
KSB811GBU Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de transistor | PNP |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 1A |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 25V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 100mA, 1A |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 100nA (ICBO) |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 100mA, 1V |
Potencia - max | 350mW |
Frecuencia - Transición | 110MHz |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | TO-226-3, TO-92-3 Short Body |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-92S |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
KSB811GBU Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | KSB811GBU-FT |
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