casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Puentes Rectificadores / KBU1006-G
Número de pieza del fabricante | KBU1006-G |
---|---|
Número de parte futuro | FT-KBU1006-G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
KBU1006-G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Single Phase |
Tecnología | Standard |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 600V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 10A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1V @ 5A |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 600V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 125°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 4-SIP, KBU |
Paquete del dispositivo del proveedor | KBU |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
KBU1006-G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | KBU1006-G-FT |
SCBH2F
Semtech Corporation
SCBH4
Semtech Corporation
SCBH4F
Semtech Corporation
SCBK15FF
Semtech Corporation
SCBK2
Semtech Corporation
SCBK4F
Semtech Corporation
SCBK6
Semtech Corporation
SCBK8
Semtech Corporation
SCBR05
Semtech Corporation
SCBR2
Semtech Corporation
XC7A35T-2CSG325I
Xilinx Inc.
M2GL050TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
AGLN125V2-ZVQ100I
Microsemi Corporation
5SGXEA7K1F40C2LN
Intel
5SGXMA9N1F45C2N
Intel
EP4SE530H35C3
Intel
XC5VLX30-3FF324C
Xilinx Inc.
M2GL090T-FGG676I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000ZE-3FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA5D4F35I5N
Intel