casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / JS28F512M29EWL0
Número de pieza del fabricante | JS28F512M29EWL0 |
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Número de parte futuro | FT-JS28F512M29EWL0 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
JS28F512M29EWL0 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NOR |
Tamaño de la memoria | 512Mb (64M x 8, 32M x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 110ns |
Tiempo de acceso | 110ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 56-TSOP (14x20) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JS28F512M29EWL0 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | JS28F512M29EWL0-FT |
W29GL512PL9B
Winbond Electronics
W29GL512PL9B TR
Winbond Electronics
W29GL512SH9B
Winbond Electronics
W29GL512SH9B TR
Winbond Electronics
W29GL512SL9B
Winbond Electronics
W29GL512SL9B TR
Winbond Electronics
M58LR128KB85ZB5E
Micron Technology Inc.
M58LR128KT85ZB5E
Micron Technology Inc.
M58WR064EB70ZB6
Micron Technology Inc.
M58WR064EB70ZB6T
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