casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - RF / JDP2S12CR(TE85L,Q
Número de pieza del fabricante | JDP2S12CR(TE85L,Q |
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Número de parte futuro | FT-JDP2S12CR(TE85L,Q |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
JDP2S12CR(TE85L,Q Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de diodo | PIN - Single |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 180V |
Actual - max | 1A |
Capacitancia a Vr, F | 1.3pF @ 40V, 1MHz |
Resistencia @ Si, F | 700 mOhm @ 10mA, 100MHz |
Disipación de potencia (max) | - |
Temperatura de funcionamiento | 175°C (TJ) |
Paquete / Caja | SOD-123F |
Paquete del dispositivo del proveedor | S-FLAT (1.6x3.5) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JDP2S12CR(TE85L,Q Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | JDP2S12CR(TE85L,Q-FT |
HSMS-2863-BLKG
Broadcom Limited
HSMS-2863-TR1G
Broadcom Limited
HSMS-2863-TR2G
Broadcom Limited
HSMS-2864-BLKG
Broadcom Limited
HSMS-2864-TR1G
Broadcom Limited
HSMS-2864-TR2G
Broadcom Limited
HSMS-8101-BLKG
Broadcom Limited
HSMS-8101-TR1
Broadcom Limited
HSMS-8101-TR1G
Broadcom Limited
HSMS-8101-TR2G
Broadcom Limited
LFXP3C-5T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V40-6FGG256C
Xilinx Inc.
XC7K410T-2FBV676I
Xilinx Inc.
A3P600-1FG484I
Microsemi Corporation
A3PE1500-2FGG484
Microsemi Corporation
MPF200T-FCG484E
Microsemi Corporation
A3P125-1VQG100T
Microsemi Corporation
EP3C10U256A7N
Intel
10AX027E4F29I3SG
Intel
10AX115S3F45E2LG
Intel