casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solo / JANTXV2N5666S
Número de pieza del fabricante | JANTXV2N5666S |
---|---|
Número de parte futuro | FT-JANTXV2N5666S |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/455 |
JANTXV2N5666S Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | NPN |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 5A |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 200V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 5A, 1A |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 200nA |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 1A, 5V |
Potencia - max | 1.2W |
Frecuencia - Transición | - |
Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-39 (TO-205AD) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTXV2N5666S Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | JANTXV2N5666S-FT |
JAN2N6306
Microsemi Corporation
JAN2N6308
Microsemi Corporation
JAN2N6383
Microsemi Corporation
JAN2N6384
Microsemi Corporation
JAN2N6674
Microsemi Corporation
JAN2N6675
Microsemi Corporation
JAN2N6676
Microsemi Corporation
JAN2N6678
Microsemi Corporation
JAN2N7369
Microsemi Corporation
APT27ZTR-G1
Diodes Incorporated
M2GL090TS-1FG484I
Microsemi Corporation
A3P125-2VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE15F23C6
Intel
EPF10K50SFC484-1X
Intel
5SGXMA9K2H40C2LN
Intel
XC5VLX110T-3FFG1738C
Xilinx Inc.
ICE40LM4K-CM49
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115U2F45E2LG
Intel
EPF8636ALC84-4
Intel
EP1S10F780I6N
Intel