casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solo / JANTXV2N3506
Número de pieza del fabricante | JANTXV2N3506 |
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Número de parte futuro | FT-JANTXV2N3506 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/349 |
JANTXV2N3506 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | NPN |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 3A |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 40V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 250mA, 2.5A |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | - |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 1.5A, 2V |
Potencia - max | 1W |
Frecuencia - Transición | - |
Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-39 (TO-205AD) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTXV2N3506 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | JANTXV2N3506-FT |
JAN2N4234
Microsemi Corporation
JAN2N4236
Microsemi Corporation
JAN2N4237
Microsemi Corporation
JAN2N4238
Microsemi Corporation
JAN2N4239
Microsemi Corporation
JAN2N5151
Microsemi Corporation
JAN2N5151L
Microsemi Corporation
JAN2N5152
Microsemi Corporation
JAN2N5152L
Microsemi Corporation
JAN2N5153L
Microsemi Corporation
XA7A100T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A3PE600-1FG484I
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EP4CE10F17C8LN
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5SGXEA4H2F35C1N
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EP3SE110F1152C2N
Intel
XCS10XL-5PC84C
Xilinx Inc.
XC4VLX25-11FFG676I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
LFE3-70E-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S60B956C7
Intel