casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solo / JANTX2N5012
Número de pieza del fabricante | JANTX2N5012 |
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Número de parte futuro | FT-JANTX2N5012 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/727 |
JANTX2N5012 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de transistor | NPN |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 200mA |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 700V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | - |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 10nA (ICBO) |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 25mA, 10V |
Potencia - max | 1W |
Frecuencia - Transición | - |
Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | TO-205AA, TO-5-3 Metal Can |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-5 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTX2N5012 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | JANTX2N5012-FT |
JAN2N6250
Microsemi Corporation
JAN2N6250T1
Microsemi Corporation
JAN2N6251
Microsemi Corporation
JAN2N6251T1
Microsemi Corporation
JAN2N6277
Microsemi Corporation
JAN2N6284
Microsemi Corporation
JAN2N6350
Microsemi Corporation
JAN2N6353
Microsemi Corporation
JAN2N6385
Microsemi Corporation
JAN2N6437
Microsemi Corporation
XA7A100T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A3PE600-1FG484I
Microsemi Corporation
EP4CE10F17C8LN
Intel
5SGXEA4H2F35C1N
Intel
EP3SE110F1152C2N
Intel
XCS10XL-5PC84C
Xilinx Inc.
XC4VLX25-11FFG676I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
LFE3-70E-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S60B956C7
Intel