casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / JANS1N6661US
Número de pieza del fabricante | JANS1N6661US |
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Número de parte futuro | FT-JANS1N6661US |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/587 |
JANS1N6661US Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 225V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 500mA |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1V @ 400mA |
Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 50nA @ 225V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SQ-MELF, A |
Paquete del dispositivo del proveedor | D-5A |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -65°C ~ 175°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANS1N6661US Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | JANS1N6661US-FT |
JAN1N1190
Microsemi Corporation
JAN1N1190R
Microsemi Corporation
JAN1N1202A
Microsemi Corporation
JAN1N1202AR
Microsemi Corporation
JAN1N1204A
Microsemi Corporation
JAN1N1204AR
Microsemi Corporation
JAN1N1206A
Microsemi Corporation
JAN1N1206AR
Microsemi Corporation
JAN1N1614
Microsemi Corporation
JAN1N1614R
Microsemi Corporation
XC4010XL-1TQ144C
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XC6SLX150-N3FG900C
Xilinx Inc.
A3P250-1VQG100I
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A3PN250-Z1VQG100
Microsemi Corporation
EP4CGX50DF27C8N
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5SGXEA5K3F35C2N
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XC5VLX110T-2FF1136I
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LCMXO2-4000HC-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB3H4F35I3N
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EP2AGX45DF29C6N
Intel