casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / JANS1N6661US
Número de pieza del fabricante | JANS1N6661US |
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Número de parte futuro | FT-JANS1N6661US |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/587 |
JANS1N6661US Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 225V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 500mA |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1V @ 400mA |
Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 50nA @ 225V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SQ-MELF, A |
Paquete del dispositivo del proveedor | D-5A |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -65°C ~ 175°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANS1N6661US Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | JANS1N6661US-FT |
JAN1N1190
Microsemi Corporation
JAN1N1190R
Microsemi Corporation
JAN1N1202A
Microsemi Corporation
JAN1N1202AR
Microsemi Corporation
JAN1N1204A
Microsemi Corporation
JAN1N1204AR
Microsemi Corporation
JAN1N1206A
Microsemi Corporation
JAN1N1206AR
Microsemi Corporation
JAN1N1614
Microsemi Corporation
JAN1N1614R
Microsemi Corporation
A3PE600-2FGG484
Microsemi Corporation
LFE2M70E-7F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F484C6N
Intel
EP20K30EFC144-3
Intel
5CGXFC4F6M11C6N
Intel
XC4010XL-3BG256I
Xilinx Inc.
XC2VP7-5FF672I
Xilinx Inc.
XC6VLX240T-3FFG1156C
Xilinx Inc.
LFE2M20E-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780C4
Intel