casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Zener - Single / JANS1N6318
Número de pieza del fabricante | JANS1N6318 |
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Número de parte futuro | FT-JANS1N6318 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/533 |
JANS1N6318 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Voltaje - Zener (Nom) (Vz) | 5.6V |
Tolerancia | ±5% |
Potencia - max | 500mW |
Impedancia (Max) (Zzt) | 8 Ohms |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 2.5V |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.4V @ 1A |
Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 175°C |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | DO-204AH, DO-35, Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-35 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANS1N6318 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | JANS1N6318-FT |
JAN1N6317CUS
Microsemi Corporation
JAN1N6317D
Microsemi Corporation
JAN1N6317DUS
Microsemi Corporation
JAN1N6317US
Microsemi Corporation
JAN1N6318C
Microsemi Corporation
JAN1N6318CUS
Microsemi Corporation
JAN1N6318D
Microsemi Corporation
JAN1N6318DUS
Microsemi Corporation
JAN1N6319C
Microsemi Corporation
JAN1N6319CUS
Microsemi Corporation
XCV200E-7FG456I
Xilinx Inc.
AX250-FGG484I
Microsemi Corporation
EP20K300EFC672-1X
Intel
EP4CE40F23A7N
Intel
10M16DCF256C8G
Intel
EP2AGX65DF25C5
Intel
5SGXMA3K2F35C1N
Intel
A54SX16A-1TQG100M
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-4FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGZME1H2F35C3N
Intel