casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solo / JAN2N4261UB
Número de pieza del fabricante | JAN2N4261UB |
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Número de parte futuro | FT-JAN2N4261UB |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/511 |
JAN2N4261UB Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | PNP |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 30mA |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 15V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 350mV @ 1mA, 10mA |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 10µA (ICBO) |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 10mA, 1V |
Potencia - max | 200mW |
Frecuencia - Transición | - |
Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 3-SMD, No Lead |
Paquete del dispositivo del proveedor | UB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN2N4261UB Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | JAN2N4261UB-FT |
2SC5101
Sanken
2SD2045
Sanken
2SD2082
Sanken
2SD2438
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2SD2439
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2SD2643
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TSB772CK B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSB772CK C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
JANS2N2221AUBC
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EPF6024ATC144-2N
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XC2VP2-5FG456I
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A54SX32A-FFG144
Microsemi Corporation
10M50DAF256C8G
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EP4SGX530KH40C3N
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5SGXEA7K3F35I3N
Intel
XC5VLX50T-1FFG1136CES
Xilinx Inc.
XC7S6-2CPGA196I
Xilinx Inc.
A54SX08A-FTQG100
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation