casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solo / JAN2N3637
Número de pieza del fabricante | JAN2N3637 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-JAN2N3637 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/357 |
JAN2N3637 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | PNP |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 1A |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 175V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 50mA |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 10µA |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 50mA, 10V |
Potencia - max | 1W |
Frecuencia - Transición | - |
Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-39 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN2N3637 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | JAN2N3637-FT |
2SB1588
Sanken
2SB1649
Sanken
2SC4300
Sanken
2SC4388
Sanken
2SC4445
Sanken
2SC5099
Sanken
2SC5101
Sanken
2SD2045
Sanken
2SD2082
Sanken
2SD2438
Sanken
M2GL050T-FCSG325
Microsemi Corporation
A42MX36-1CQ256
Microsemi Corporation
5SGXEA3K1F40C2N
Intel
EP4SE360H29C3N
Intel
10AX032E3F27E2LG
Intel
10AX022E4F29I3LG
Intel
XA7A35T-1CPG236Q
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000ZE-2FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2N
Intel
EP3SL110F780I4L
Intel