casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solo / JAN2N3637
Número de pieza del fabricante | JAN2N3637 |
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Número de parte futuro | FT-JAN2N3637 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/357 |
JAN2N3637 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | PNP |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 1A |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 175V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 50mA |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 10µA |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 50mA, 10V |
Potencia - max | 1W |
Frecuencia - Transición | - |
Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-39 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN2N3637 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | JAN2N3637-FT |
2SB1588
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Xilinx Inc.
LFE3-70EA-7LFN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057H2F34E1SG
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EP4SGX180FF35C2X
Intel