casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solo / JAN2N3637L
Número de pieza del fabricante | JAN2N3637L |
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Número de parte futuro | FT-JAN2N3637L |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/357 |
JAN2N3637L Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | PNP |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 1A |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 175V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 50mA |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 10µA |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 50mA, 10V |
Potencia - max | 1W |
Frecuencia - Transición | - |
Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | TO-205AA, TO-5-3 Metal Can |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-5 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN2N3637L Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | JAN2N3637L-FT |
2SB1649
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Lattice Semiconductor Corporation
XA7A25T-2CSG325I
Xilinx Inc.
M1A3P600-PQ208
Microsemi Corporation
5SEE9F45C2N
Intel
EP2SGX90EF1152C4ES
Intel
XC2V1500-5BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX110-2FF1760C
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000HC-5MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX190EF29C5N
Intel