casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solo / JAN2N3506
Número de pieza del fabricante | JAN2N3506 |
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Número de parte futuro | FT-JAN2N3506 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/349 |
JAN2N3506 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | NPN |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 3A |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 40V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 250mA, 2.5A |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | - |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 1.5A, 2V |
Potencia - max | 1W |
Frecuencia - Transición | - |
Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-39 (TO-205AD) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN2N3506 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | JAN2N3506-FT |
JAN2N2218AL
Microsemi Corporation
JAN2N2221AL
Microsemi Corporation
JAN2N2221AUA
Microsemi Corporation
JAN2N2221AUB
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M1A3P1000-2FGG484
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LFE5UM-85F-7BG554I
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EP20K600EFC672-3
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5SGSED8K3F40C2LN
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EP3SE80F1152I3
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XA7A50T-1CSG324I
Xilinx Inc.
EPF10K200SBC356-1X
Intel