casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / JAN1N6621US
Número de pieza del fabricante | JAN1N6621US |
---|---|
Número de parte futuro | FT-JAN1N6621US |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/116 |
JAN1N6621US Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 75V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 200mA |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.2V @ 100mA |
Velocidad | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 20ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 500nA @ 75V |
Capacitancia a Vr, F | 2.8pF @ 1.5V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SQ-MELF, A |
Paquete del dispositivo del proveedor | D-5A |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -65°C ~ 200°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N6621US Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | JAN1N6621US-FT |
IRD3CH9DF6
Infineon Technologies
IRKE166/04
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKE166/08
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKE166/12
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKE166/14
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKE166/16
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKE196/04
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKE196/08
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKE196/12
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKE196/16
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S50AN-4TQ144I
Xilinx Inc.
LCMXO1200E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A100T-3FTG256E
Xilinx Inc.
AGL030V2-CSG81I
Microsemi Corporation
EP3SL70F484C4LN
Intel
10M50DAF484I7P
Intel
AGL125V2-QNG132I
Microsemi Corporation
LFE5U-25F-7BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EBC356-1X
Intel