casa / productos / Protección del circuito / TVS - Diodos / JAN1N6151US
Número de pieza del fabricante | JAN1N6151US |
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Número de parte futuro | FT-JAN1N6151US |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/516 |
JAN1N6151US Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Zener |
Canales unidireccionales | - |
Canales Bidireccionales | 1 |
Voltaje - Separación inversa (tipo) | 18.2V |
Voltaje - Avería (Min) | 21.66V |
Voltaje - Sujeción (Máx.) @ Ipp | 34.97V |
Corriente - Pulso pico (10 / 1000µs) | 42.75A |
Potencia - Pulso pico | 1500W (1.5kW) |
Protección de línea eléctrica | No |
Aplicaciones | General Purpose |
Capacitancia a frecuencia | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SQ-MELF, C |
Paquete del dispositivo del proveedor | C, SQ-MELF |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N6151US Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | JAN1N6151US-FT |
JAN1N6123US
Microsemi Corporation
JAN1N6124
Microsemi Corporation
JAN1N6124A
Microsemi Corporation
JAN1N6124AUS
Microsemi Corporation
JAN1N6124US
Microsemi Corporation
JAN1N6125
Microsemi Corporation
JAN1N6125A
Microsemi Corporation
JAN1N6125AUS
Microsemi Corporation
JAN1N6125US
Microsemi Corporation
JAN1N6126
Microsemi Corporation
XC2S15-5VQG100C
Xilinx Inc.
EPF8282AVTC100-3
Intel
EP3C55U484C6N
Intel
5AGZME3E2H29I3LN
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
10AX032E2F27I2LG
Intel
5SGSMD6N1F45I2N
Intel
AX1000-FG676I
Microsemi Corporation
A42MX24-3TQG176
Microsemi Corporation
LFXP2-17E-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation