casa / productos / Protección del circuito / TVS - Diodos / JAN1N6135US
Número de pieza del fabricante | JAN1N6135US |
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Número de parte futuro | FT-JAN1N6135US |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/516 |
JAN1N6135US Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Zener |
Canales unidireccionales | - |
Canales Bidireccionales | 1 |
Voltaje - Separación inversa (tipo) | 121.6V |
Voltaje - Avería (Min) | 144.4V |
Voltaje - Sujeción (Máx.) @ Ipp | 229.32V |
Corriente - Pulso pico (10 / 1000µs) | 2.19A |
Potencia - Pulso pico | 500W |
Protección de línea eléctrica | No |
Aplicaciones | General Purpose |
Capacitancia a frecuencia | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SQ-MELF, B |
Paquete del dispositivo del proveedor | B, SQ-MELF |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N6135US Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | JAN1N6135US-FT |
JAN1N6111
Microsemi Corporation
JAN1N6111A
Microsemi Corporation
JAN1N6111AUS
Microsemi Corporation
JAN1N6111US
Microsemi Corporation
JAN1N6112
Microsemi Corporation
JAN1N6112A
Microsemi Corporation
JAN1N6112AUS
Microsemi Corporation
JAN1N6112US
Microsemi Corporation
JAN1N6113
Microsemi Corporation
JAN1N6113A
Microsemi Corporation
XC4020XL-1PQ208C
Xilinx Inc.
EP2AGZ300FH29I3N
Intel
5SGXEB6R2F43I3LN
Intel
5SGXEA4H2F35C2N
Intel
XC7VX415T-1FFG1158C
Xilinx Inc.
AGL125V5-CSG196
Microsemi Corporation
A54SX32A-FGG144I
Microsemi Corporation
5CEBA2F23C8N
Intel
10AX066K4F40E3LG
Intel
EP4SGX360FF35C3N
Intel