casa / productos / Protección del circuito / TVS - Diodos / JAN1N6110A
Número de pieza del fabricante | JAN1N6110A |
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Número de parte futuro | FT-JAN1N6110A |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/516 |
JAN1N6110A Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Zener |
Canales unidireccionales | - |
Canales Bidireccionales | 1 |
Voltaje - Separación inversa (tipo) | 11.4V |
Voltaje - Avería (Min) | 14.25V |
Voltaje - Sujeción (Máx.) @ Ipp | 21V |
Corriente - Pulso pico (10 / 1000µs) | 23.8A |
Potencia - Pulso pico | 500W |
Protección de línea eléctrica | No |
Aplicaciones | General Purpose |
Capacitancia a frecuencia | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | B, Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | Axial |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N6110A Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | JAN1N6110A-FT |
JANTXV1N6105AUS
Microsemi Corporation
JANTXV1N6105US
Microsemi Corporation
JANTXV1N6106AUS
Microsemi Corporation
JANTXV1N6106US
Microsemi Corporation
JANTXV1N6107AUS
Microsemi Corporation
JANTXV1N6107US
Microsemi Corporation
JANTXV1N6108AUS
Microsemi Corporation
JANTXV1N6108US
Microsemi Corporation
JANTXV1N6109AUS
Microsemi Corporation
JANTXV1N6109US
Microsemi Corporation
XCS10-3VQ100I
Xilinx Inc.
M1A3PE3000L-1FG484M
Microsemi Corporation
EP4CGX30CF23C7
Intel
5SGXEA5K1F40C1N
Intel
5AGZME7H3F35I4N
Intel
EP3SE110F1152C4N
Intel
XC3030-100PC84C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-5MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090S4F45E3LG
Intel
EPF81500AQC240-3N
Intel