casa / productos / Protección del circuito / TVS - Diodos / JAN1N6109US
Número de pieza del fabricante | JAN1N6109US |
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Número de parte futuro | FT-JAN1N6109US |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/516 |
JAN1N6109US Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Zener |
Canales unidireccionales | - |
Canales Bidireccionales | 1 |
Voltaje - Separación inversa (tipo) | 9.9V |
Voltaje - Avería (Min) | 11.73V |
Voltaje - Sujeción (Máx.) @ Ipp | 19.11V |
Corriente - Pulso pico (10 / 1000µs) | 26.13A |
Potencia - Pulso pico | 500W |
Protección de línea eléctrica | No |
Aplicaciones | General Purpose |
Capacitancia a frecuencia | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SQ-MELF, B |
Paquete del dispositivo del proveedor | B, SQ-MELF |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N6109US Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | JAN1N6109US-FT |
GSOT36C-HT3-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
HSP053-4M5
STMicroelectronics
HSP061-4F4
STMicroelectronics
ICT-10
Microsemi Corporation
ICT-10C
Microsemi Corporation
ICT-12
Microsemi Corporation
ICT-12C
Microsemi Corporation
ICT-15
Microsemi Corporation
ICT-15C
Microsemi Corporation
ICT-18
Microsemi Corporation
LFE2-6E-5TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3042-100PQ100C
Xilinx Inc.
XC2S600E-6FG456Q
Xilinx Inc.
EP3SL200F1517I3
Intel
XC5VSX240T-1FF1738CES
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000HC-4BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-6MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC9C7F23C8N
Intel
10AX115S2F45E1SG
Intel
EP3SE110F780C4L
Intel