casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / JAN1N5802US
Número de pieza del fabricante | JAN1N5802US |
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Número de parte futuro | FT-JAN1N5802US |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/477 |
JAN1N5802US Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 50V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 2.5A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 975mV @ 2.5A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 25ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 1µA @ 50V |
Capacitancia a Vr, F | 25pF @ 10V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SQ-MELF, A |
Paquete del dispositivo del proveedor | D-5A |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -65°C ~ 175°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N5802US Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | JAN1N5802US-FT |
JANTX1N5711UR-1
Microsemi Corporation
JANTX1N4148UR-1
Microsemi Corporation
JANTXV1N5711UR-1
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JAN1N5711UR-1
Microsemi Corporation
JAN1N4148UR-1
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LCMXO2280E-3TN100I
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M2GL090-FCSG325I
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LCMXO2280E-3FT256C
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LFE5U-85F-6BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA7N2F40I3LN
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5SGXEA5H2F35I3
Intel
XC7A15T-3CPG236E
Xilinx Inc.
5AGXFB1H6F35C6N
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EP1S80B956C6N
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EP4SGX180HF35C4
Intel