casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / JAN1N5614US
Número de pieza del fabricante | JAN1N5614US |
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Número de parte futuro | FT-JAN1N5614US |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/427 |
JAN1N5614US Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 200V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 1A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.3V @ 3A |
Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 2µs |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 500nA @ 200V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SQ-MELF, A |
Paquete del dispositivo del proveedor | D-5A |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -65°C ~ 200°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N5614US Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | JAN1N5614US-FT |
1N645UR-1
Microsemi Corporation
CDLL0.2A20
Microsemi Corporation
CDLL0.2A30
Microsemi Corporation
CDLL0.2A40
Microsemi Corporation
CDLL0.5A20
Microsemi Corporation
CDLL0.5A30
Microsemi Corporation
CDLL0.5A40
Microsemi Corporation
CDLL2810
Microsemi Corporation
CDLL483B
Microsemi Corporation
CDLL485B
Microsemi Corporation
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
EP3SL50F484I4N
Intel
10M16DAF256I7G
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EP1K30FC256-2N
Intel
EP3SE80F1152C2
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XC7K160T-2FF676C
Xilinx Inc.
AGLP060V2-CS289
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel