casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / JAN1N5554US
Número de pieza del fabricante | JAN1N5554US |
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Número de parte futuro | FT-JAN1N5554US |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/420 |
JAN1N5554US Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 1000V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 5A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.3V @ 9A |
Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 2µs |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 1µA @ 1000V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SQ-MELF, B |
Paquete del dispositivo del proveedor | D-5B |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -65°C ~ 175°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N5554US Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | JAN1N5554US-FT |
CDLL0.2A30
Microsemi Corporation
CDLL0.2A40
Microsemi Corporation
CDLL0.5A20
Microsemi Corporation
CDLL0.5A30
Microsemi Corporation
CDLL0.5A40
Microsemi Corporation
CDLL2810
Microsemi Corporation
CDLL483B
Microsemi Corporation
CDLL485B
Microsemi Corporation
CDLL486B
Microsemi Corporation
CDLL5194
Microsemi Corporation
XC4010XL-1TQ144C
Xilinx Inc.
XC6SLX150-N3FG900C
Xilinx Inc.
A3P250-1VQG100I
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A3PN250-Z1VQG100
Microsemi Corporation
EP4CGX50DF27C8N
Intel
5SGXEA5K3F35C2N
Intel
XC5VLX110T-2FF1136I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HC-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB3H4F35I3N
Intel
EP2AGX45DF29C6N
Intel