casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / JAN1N5420US
Número de pieza del fabricante | JAN1N5420US |
---|---|
Número de parte futuro | FT-JAN1N5420US |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/411 |
JAN1N5420US Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 600V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 3A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.5V @ 9A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 400ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 1µA @ 600V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SQ-MELF, B |
Paquete del dispositivo del proveedor | D-5B |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -65°C ~ 175°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N5420US Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | JAN1N5420US-FT |
VSSAF5M12-M3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF5M12-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF5M12HM3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF5M12HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF5M15-M3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF5M15-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF5M15HM3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF5M15HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF5M6-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF5M6HM3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
AGL030V2-QNG68I
Microsemi Corporation
LFXP3C-4TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2VP20-7FGG676C
Xilinx Inc.
5CGXBC4C7F27C8N
Intel
EP3SL200F1517I4L
Intel
5SGXMA4H3F35I3N
Intel
A40MX02-2PLG44I
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H4F34I3SG
Intel
5AGXBA1D4F31C4N
Intel