casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Zener - Single / JAN1N4135-1
Número de pieza del fabricante | JAN1N4135-1 |
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Número de parte futuro | FT-JAN1N4135-1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/435 |
JAN1N4135-1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Voltaje - Zener (Nom) (Vz) | 100V |
Tolerancia | ±5% |
Potencia - max | - |
Impedancia (Max) (Zzt) | 1600 Ohms |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10nA @ 76V |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.1V @ 200mA |
Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 175°C |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | DO-204AH, DO-35, Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-35 (DO-204AH) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N4135-1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | JAN1N4135-1-FT |
JAN1N4115C-1
Microsemi Corporation
JAN1N4115D-1
Microsemi Corporation
JAN1N4116-1
Microsemi Corporation
JAN1N4116C-1
Microsemi Corporation
JAN1N4116D-1
Microsemi Corporation
JAN1N4117C-1
Microsemi Corporation
JAN1N4117D-1
Microsemi Corporation
JAN1N4118C-1
Microsemi Corporation
JAN1N4118D-1
Microsemi Corporation
JAN1N4119-1
Microsemi Corporation
LCMXO2-640HC-4SG48I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C20F484C6N
Intel
10M40DCF484C7G
Intel
10M50DCF484I6G
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EPF10K50SFC484-1
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10M40SCE144I7G
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5SGSED8N2F45I2L
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5SGXEA7H3F35I4N
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LFE2-6E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX125EF35C4N
Intel