casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / JAN1N3768R
Número de pieza del fabricante | JAN1N3768R |
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Número de parte futuro | FT-JAN1N3768R |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/297 |
JAN1N3768R Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard, Reverse Polarity |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 1000V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 35A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.4V @ 110A |
Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 1000V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Chassis, Stud Mount |
Paquete / Caja | DO-203AB, DO-5, Stud |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-5 |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -65°C ~ 175°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N3768R Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | JAN1N3768R-FT |
IDT05S60CHKSA1
Infineon Technologies
IDT06S60CHKSA1
Infineon Technologies
IDT08S60CHKSA1
Infineon Technologies
IDT10S60CHKSA1
Infineon Technologies
IDT16S60CHKSA1
Infineon Technologies
IDY10S120XKSA1
Infineon Technologies
IDY15S120XKSA1
Infineon Technologies
IRD3CH101DB6
Infineon Technologies
IRD3CH101DD6
Infineon Technologies
IRD3CH101DF6
Infineon Technologies
A3PE600-2FGG484
Microsemi Corporation
LFE2M70E-7F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F484C6N
Intel
EP20K30EFC144-3
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5CGXFC4F6M11C6N
Intel
XC4010XL-3BG256I
Xilinx Inc.
XC2VP7-5FF672I
Xilinx Inc.
XC6VLX240T-3FFG1156C
Xilinx Inc.
LFE2M20E-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780C4
Intel