casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Zener - Single / JAN1N2806B
Número de pieza del fabricante | JAN1N2806B |
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Número de parte futuro | FT-JAN1N2806B |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/114 |
JAN1N2806B Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Voltaje - Zener (Nom) (Vz) | 8.2V |
Tolerancia | ±5% |
Potencia - max | 50W |
Impedancia (Max) (Zzt) | 0.4 Ohms |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 50µA @ 5.4V |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.5V @ 10A |
Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 175°C |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | TO-204AD |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-204AD (TO-3) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N2806B Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | JAN1N2806B-FT |
CRZ33(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CRZ47(TE85L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
CZ5334B BK
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CZ5335B BK
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CZ5336B BK
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CZ5336B TR
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CZ5337B BK
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CZ5337B TR
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CZ5337C TR
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LFEC6E-3TN144C
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APA300-FG144I
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A3PE3000L-FGG484
Microsemi Corporation
5SGSMD8K2F40C3N
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10AX032H4F35I3LG
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XC6SLX9-3CSG225I
Xilinx Inc.
M2GL090T-1FGG676I
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ICE40LP1K-CM36
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA2M13C7N
Intel
EP20K200RC240-1N
Intel