casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - JFETs / J112G
Número de pieza del fabricante | J112G |
---|---|
Número de parte futuro | FT-J112G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
J112G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Voltaje - Desglose (V (BR) GSS) | 35V |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | - |
Corriente - Drenaje (Idss) @ Vds (Vgs = 0) | 5mA @ 15V |
Drenaje Actual (Id) - Max | - |
Voltaje - Corte (VGS apagado) @ Id | 1V @ 1µA |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | - |
Resistencia - RDS (On) | 50 Ohms |
Potencia - max | 350mW |
Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-92-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
J112G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | J112G-FT |
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