Número de pieza del fabricante | J109 |
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Número de parte futuro | FT-J109 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
J109 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Voltaje - Desglose (V (BR) GSS) | 25V |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | - |
Corriente - Drenaje (Idss) @ Vds (Vgs = 0) | 40mA @ 15V |
Drenaje Actual (Id) - Max | - |
Voltaje - Corte (VGS apagado) @ Id | 2V @ 10nA |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | - |
Resistencia - RDS (On) | 12 Ohms |
Potencia - max | 625mW |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-92-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
J109 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | J109-FT |
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EP1S10F484C7N
Intel
5SGXEA7N2F40C2LN
Intel
10AX027H4F34I3SG
Intel
XC5VLX50T-3FFG1136C
Xilinx Inc.
XC7VX550T-L2FFG1158E
Xilinx Inc.
LFE2-20SE-6F672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX30CF19C6
Intel