casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - JFETs / J108_D26Z
Número de pieza del fabricante | J108_D26Z |
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Número de parte futuro | FT-J108_D26Z |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
J108_D26Z Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Voltaje - Desglose (V (BR) GSS) | 25V |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | - |
Corriente - Drenaje (Idss) @ Vds (Vgs = 0) | 80mA @ 15V |
Drenaje Actual (Id) - Max | - |
Voltaje - Corte (VGS apagado) @ Id | 3V @ 10nA |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | - |
Resistencia - RDS (On) | 8 Ohms |
Potencia - max | 625mW |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-92-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
J108_D26Z Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | J108_D26Z-FT |
J111,126
NXP USA Inc.
J112,126
NXP USA Inc.
J113,126
NXP USA Inc.
J174
ON Semiconductor
J174,126
NXP USA Inc.
J175
ON Semiconductor
J175,116
NXP USA Inc.
J176
ON Semiconductor
J176,126
NXP USA Inc.
J177
ON Semiconductor
XC6SLX150T-4FGG900C
Xilinx Inc.
AGLN125V2-CSG81I
Microsemi Corporation
5SGSED8K3F40I4N
Intel
EP3SL200H780I3N
Intel
XC2VP30-5FFG896C
Xilinx Inc.
XA6SLX25T-2CSG324Q
Xilinx Inc.
XC6SLX9-L1CSG324I
Xilinx Inc.
AGL1000V5-FG144I
Microsemi Corporation
ICE40LP4K-CM225
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX360HF35I3
Intel