casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - RF / IXZR08N120B-00
Número de pieza del fabricante | IXZR08N120B-00 |
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Número de parte futuro | FT-IXZR08N120B-00 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Z-MOS™ |
IXZR08N120B-00 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | N-Channel |
Frecuencia | 65MHz |
Ganancia | 23dB |
Voltaje - prueba | 100V |
Valoración actual | 8A |
Figura de ruido | - |
Corriente - Prueba | - |
Salida de potencia | 250W |
Tensión nominal | 1200V |
Paquete / Caja | TO-247-3 |
Paquete del dispositivo del proveedor | PLUS247™-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXZR08N120B-00 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IXZR08N120B-00-FT |
BF861A,215
NXP USA Inc.
BF862,215
NXP USA Inc.
BF862,235
NXP USA Inc.
ON5257,215
NXP USA Inc.
ON5520,215
NXP USA Inc.
ON4970,115
NXP USA Inc.
A2T27S007NT1
NXP USA Inc.
AFM906NT1
NXP USA Inc.
AFM907NT1
NXP USA Inc.
MHT1108NT1
NXP USA Inc.
XC2S200-5PQG208I
Xilinx Inc.
M2GL050-1FG484
Microsemi Corporation
APA300-BG456
Microsemi Corporation
APA300-PQG208M
Microsemi Corporation
LIF-MD6000-6MG81I
Lattice Semiconductor Corporation
10CX150YU484E5G
Intel
XC7K410T-1FBG900I
Xilinx Inc.
LFE2-70E-6F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-3MN100I
Lattice Semiconductor Corporation
10M02DCU324A7G
Intel