casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - RF / IXZ316N60
Número de pieza del fabricante | IXZ316N60 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-IXZ316N60 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Z-MOS™ |
IXZ316N60 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | N-Channel |
Frecuencia | 65MHz |
Ganancia | 23dB |
Voltaje - prueba | 100V |
Valoración actual | 18A |
Figura de ruido | - |
Corriente - Prueba | - |
Salida de potencia | 880W |
Tensión nominal | 600V |
Paquete / Caja | 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad |
Paquete del dispositivo del proveedor | DE375 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXZ316N60 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IXZ316N60-FT |
MWT-773
Microwave Technology Inc.
MWT-173
Microwave Technology Inc.
VRF3933
Microsemi Corporation
VRF2944
Microsemi Corporation
VRF2933FL
Microsemi Corporation
VRF2933
Microsemi Corporation
VRF157FL
Microsemi Corporation
VRF154FL
Microsemi Corporation
VRF151G
Microsemi Corporation
VRF141
Microsemi Corporation
A1415A-1PQG100C
Microsemi Corporation
XC3S1600E-4FGG400C
Xilinx Inc.
M2GL005S-VFG256I
Microsemi Corporation
5SGSMD8K2F40I3LN
Intel
EP2AGZ350FH29I4N
Intel
10M04SCE144A7G
Intel
A42MX09-2PLG84I
Microsemi Corporation
5CEFA9U19I7N
Intel
10AX115U2F45E2SG
Intel
10AX115R1F40I1SG
Intel