casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - RF / IXZ308N120
Número de pieza del fabricante | IXZ308N120 |
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Número de parte futuro | FT-IXZ308N120 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Z-MOS™ |
IXZ308N120 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de transistor | N-Channel |
Frecuencia | 65MHz |
Ganancia | 23dB |
Voltaje - prueba | 100V |
Valoración actual | 8A |
Figura de ruido | - |
Corriente - Prueba | - |
Salida de potencia | 880W |
Tensión nominal | 1200V |
Paquete / Caja | 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad |
Paquete del dispositivo del proveedor | DE375 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXZ308N120 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IXZ308N120-FT |
NE3520S03-A
CEL
NE3520S03-T1C-A
CEL
MWT-A973
Microwave Technology Inc.
MWT-773
Microwave Technology Inc.
MWT-173
Microwave Technology Inc.
VRF3933
Microsemi Corporation
VRF2944
Microsemi Corporation
VRF2933FL
Microsemi Corporation
VRF2933
Microsemi Corporation
VRF157FL
Microsemi Corporation
A1415A-PQG100I
Microsemi Corporation
XC6SLX100T-3FGG676C
Xilinx Inc.
AGL600V2-FGG484I
Microsemi Corporation
5SGXEA7N1F40C2LN
Intel
10AX022E3F29E2LG
Intel
EP3SL340F1760C4LN
Intel
A42MX09-1PL84I
Microsemi Corporation
EP2C70F896C6
Intel
EP3SL110F780C4L
Intel
EPF10K50VBI356-3
Intel