casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IXTX8N150L
Número de pieza del fabricante | IXTX8N150L |
---|---|
Número de parte futuro | FT-IXTX8N150L |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IXTX8N150L Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 1500V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 8A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 20V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.6 Ohm @ 4A, 20V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 8V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 250nC @ 15V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 8000pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 700W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | PLUS247™-3 |
Paquete / Caja | TO-247-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTX8N150L Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IXTX8N150L-FT |
IXTA3N50P
IXYS
IXTA3N60P
IXYS
IXTA44N25T
IXYS
IXTA4N60P
IXYS
IXTA54N30T
IXYS
IXTA56N15T
IXYS
IXTA5N50P
IXYS
IXTA5N60P
IXYS
IXTA62N25T
IXYS
IXTA6N50P
IXYS
XCV200-5FG256I
Xilinx Inc.
APA150-FGG256
Microsemi Corporation
M7A3P1000-FGG256I
Microsemi Corporation
A40MX04-1PL68
Microsemi Corporation
EP1M350F780C6
Intel
LCMXO2-2000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H1F34I1SG
Intel
EP1C6Q240C7N
Intel
EP1K100QC208-1GZ
Intel