casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IXTX17N120L
Número de pieza del fabricante | IXTX17N120L |
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Número de parte futuro | FT-IXTX17N120L |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IXTX17N120L Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 1200V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 17A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 20V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 900 mOhm @ 8.5A, 20V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 155nC @ 15V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 8300pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 700W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | PLUS247™-3 |
Paquete / Caja | TO-247-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTX17N120L Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IXTX17N120L-FT |
IXTA27N20T
IXYS
IXTA2N100
IXYS
IXTA2N100P
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IXYS
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A1010B-2VQ80I
Microsemi Corporation
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Xilinx Inc.
AFS090-2FG256I
Microsemi Corporation
AGL1000V5-FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-5BG324I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C20F484C6
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10AX022E3F29I2LG
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