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IXYS IXTT3N200P3HV

Name: IXTT3N200P3HV
Brand: IXYS
SKU: IXTT3N200P3HV
Price: 29.6 USD
Availability: InStock
Rating: 4.5 (625 reviews)

Número de pieza de MFG: IXTT3N200P3HV

Cantidad disponible: 91260 Piezas

Precio de referencia: USD 29.6

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fabricante: IXYS

Breve descripción: - 2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: IXTT3N200P3HV.pdf

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IXTT3N200P3HV Presupuesto

Número de pieza del fabricante	IXTT3N200P3HV
Número de parte futuro	FT-IXTT3N200P3HV
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
IXTT3N200P3HV Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	2000V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	3A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	70nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	1860pF @ 25V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	520W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-268
Paquete / Caja	TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXTT3N200P3HV Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	IXTT3N200P3HV-FT

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