casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IXTT10N100D2
Número de pieza del fabricante | IXTT10N100D2 |
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Número de parte futuro | FT-IXTT10N100D2 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IXTT10N100D2 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 1000V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 10A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5 Ohm @ 5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 200nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 5320pF @ 25V |
Característica FET | Depletion Mode |
Disipación de potencia (max) | 695W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-268 |
Paquete / Caja | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTT10N100D2 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IXTT10N100D2-FT |
IXFK33N50
IXYS
IXFK35N50
IXYS
IXFK36N60
IXYS
IXFK38N80Q2
IXYS
IXFK44N50
IXYS
IXFK44N50F
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IXFK44N50Q
IXYS
IXFK44N55Q
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IXYS
IXFK48N55
IXYS
A54SX16A-2TQ144I
Microsemi Corporation
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