casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IXTP75N10P
Número de pieza del fabricante | IXTP75N10P |
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Número de parte futuro | FT-IXTP75N10P |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PolarHT™ |
IXTP75N10P Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 75A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 74nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2250pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 360W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220AB |
Paquete / Caja | TO-220-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTP75N10P Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IXTP75N10P-FT |
IXTH220N055T
IXYS
IXTH220N075T
IXYS
IXTH230N085T
IXYS
IXTH240N055T
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EX128-TQ100
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XC3S50A-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1CQ256
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A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
A42MX16-VQG100M
Microsemi Corporation
EP1SGX10CF672C7N
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