casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IXTP4N70X2M
Número de pieza del fabricante | IXTP4N70X2M |
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Número de parte futuro | FT-IXTP4N70X2M |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IXTP4N70X2M Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 700V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 4A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 850 mOhm @ 2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 11.8nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 386pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 30W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220 Isolated Tab |
Paquete / Caja | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTP4N70X2M Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IXTP4N70X2M-FT |
IXTQ30N50L
IXYS
IXTQ30N50L2
IXYS
IXTQ30N50P
IXYS
IXTQ30N60L2
IXYS
IXTQ30N60P
IXYS
IXTQ32N65X
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IXYS
IXTQ470P2
IXYS
LCMXO2-1200ZE-2TG144I
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